HS26P10应用笔记

HS26P10 是采用低耗高速 CMOS 工艺制造的 8 位单片机,它内部包含一个 2K*16-bit 的一次性 可编程只读电存储器(OTP-ROM)

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新闻资讯

2. 特征 除了跳转指令 2 个指令周期外,其他指令都是一个指令周期 

         2K*16 位片内 ROM 

         可直接、间接寻址 

          3 个 8 位定时器:

          TC0:外部事件计数器/PWM0/ Buzzer 输出。 

          TC1:外部事件计数器/PWM1/ Buzzer 输出。 

          TC2:外部事件计数器/PWM2/ Buzzer 输出 

          内置上电复位,掉电复位 

          内置上电复位时间 PWRT 和振荡器起振时间 OSCT

          内置可预分频 WDT 

                      四种振荡模式

          内置高速振荡器 16MHz 

          内置低速振荡器 32K 

          外置高速晶体振荡器 4MHz~16MHz 

          外置低速晶体振荡器 32.768KHz 

         一个安全位(代码寄存器中)保护程序不被读出 

         128*8 bit SRAM 

          3 组标准双向 I/O 端口 

          8 级用于子程序嵌套的堆栈       

          6 种可用中断

          4 个内部中断:TC0、TC1、TC2、ADC 

                      2 个外部中断:INT0,INT1 

          ADC 5个外部ADC输入 1个内部电池检测 内部AD参考电压(VDD、4V、3V、2V)

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